檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="郭東昊"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
2
近年來，發藍光的LED 已是目前最重要的光電元件，由於GaN材料製程上的進步，使得藍光GaN/GaInN 發光二極體研製成功，III族氮化物材料已經逐漸成為半導體領域中一顆耀眼的新星。III族氮化物…
3
近年來，發藍光的LED材料是目前最重要的光電元件，由於GaN材料製程上的成熟，使得藍光GaN/GaInN 薄膜發光二極體廣泛應用在光電產業中。III族氮化物因製備條件的不同可為閃鋅礦結構，也可為纖鋅…
4
本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜，並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體，進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
5
本論文以RF反應式濺鍍法製備施體-受體共摻雜n型或p型的ZnSnGaN薄膜，並探討不同摻雜比例、濺鍍功率與沉積溫度對於薄膜品質、電性及光學性質之影響。於本實驗中我們利用EDS、SEM、AFM、XRD…
6
本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備p型Zn摻雜GaN以及Zn摻雜InGaN薄膜。實驗所需要的濺鍍靶材是將不同比例的金屬In、Ga、Zn與GaN陶瓷粉末進行混合後熱壓而成的陶金靶，製備出p型Zn摻雜…